2021第六屆海峽兩岸半導體產業（合肥）高峰論壇化合物半導體發展專題論壇成功召開
2021年10月22日，2021第六屆海峽兩岸半導體產業（合肥）高峰論壇化合物半導體發展專題論壇在合肥天鵝湖酒店成功召開。論壇由合肥市人民政府主辦，化合物半導體產業技術創新戰略聯盟、合肥市發展和改革委員會、合肥市經濟和資訊化局、合肥高新區管委會、合肥市台辦、合肥市半導體行業協會共同承辦。
會議現場
合肥高新區党工委委員、管委會副主任呂長富，合肥高新區半導體投資促進中心主任周國祥，國家新材料產業發展專家諮詢委員會委員、化合物半導體產業技術創新戰略聯盟理事長吳玲，復旦大學特聘教授、上海碳化矽功率器件工程技術研究中心主任張清純，中科院電工研究所主任研究員溫旭輝，安世半導體研究院院長姜克，中電科半導體材料有限公司首席專家王英民，中科院蘇州納米技術與納米仿生研究所高級工程師于國浩，山西中科潞安紫外光電科技有限公司研發中心主任劉乃鑫，東莞市中鎵半導體科技有限公司銷售總監呂根泉等來自全國各地的專家、學者約120余人參加了此次會議。由於疫情影響，此次會議邀請的臺灣專家不能到現場參會，以視頻的方式參加，主要代表有：臺灣光電科技工業協進會(PIDA)董事長邰中和，南方科技股份有限公司董事長陳怡然。
國家新材料產業發展專家諮詢委員會委員，化合物半導體產業技術創新戰略聯盟理事長吳玲和臺灣光電科技工業協進會(PIDA)董事長邰中和為會議致辭。
化合物半導體產業技術創新戰略聯盟理事長 吳玲
吳玲理事長在致辭中提到，化合物半導體在支撐國家能源革命，助力“雙碳”戰略；支撐高速列車、新能源汽車等核心動力系統的升級換代；支撐高頻、高速、寬頻通信系統核心器件的自主可控；支撐光電應用產業高品質發展等方面都具有關鍵性作用。在超越摩爾技術領域，中國與國際差距相對較小，化合物半導體有望成為科技支撐強國夢想的重要力量！化合物半導體技術發展以應用驅動，巨大的民用市場帶來了以碳化矽和氮化鎵為基礎材料的民用產品競相登場。交叉性強、產業鏈長的特點決定了其材料端、器件端、用戶端要更加緊密地聯繫，要更加注重產業生態環境的完善，化合物半導體面向的是全球的市場，帶來的是全球的機會，因此更需要全球合作，尤其是與歐洲的精准合作。聯盟從2015年成立開始，一直致力於推動產業鏈條的融通發展，希望大家以此次研討會為契機，深化兩岸合作，合力抱團發展，為綠色、健康、智慧、可持續的發展貢獻力量！
臺灣光電科技工業協進會(PIDA)董事長 邰中和
邰中和董事長視頻致辭，他介紹了目前臺灣發展化合物半導體產業的近況，表示臺灣發展化合物半導體有不錯的基礎，尤其在Micro-LED顯示領域有相當的進展，目前還是技術的領先者，希望這些領先的部分在Mini-LED和Micro-LED領域創造更新的應用，在顯示產業有新的氣象。全球對節能減碳、高速網路及新型顯示的技術有廣大的應用及需求，大陸加上臺灣在這個領域有機會領先世界發展。兩岸在半導體化合物上相互合作，互通有無，尤其是現在國際技術封鎖的情況下，利用臺灣的優勢和全世界合作，共同提升技術水準。
合肥高新區半導體投資促進中心 丁希明
合肥高新區半導體投資促進中心丁希明介紹了合肥市及合肥高新區半導體產業發展現狀和規劃。合肥擁有良好的區位優勢、科教資源和產業基礎，重點支持積體電路等12個產業鏈條發展。合肥高新區圍繞新一代資訊技術、新能源汽車兩大產業集群，集聚了一大批半導體產業鏈上下游企業，出臺了一系列產業發展政策，為半導體產業創新發展營造了良好的生態環境。
接下來是主題報告環節，來自高校、科研院所、企業的8位專家做專題報告。
安世半導體研究院院長 姜 克
安世半導體研究院院長姜克分享了題為《汽車大變革時代化合物半導體的機遇和挑戰》的報告。據姜院長介紹，汽車市場非常複雜，商業模式有很多種。隨著百度、小米、華為、美的等各種造車新勢力的進入，汽車供應鏈面臨重構。電動化導致汽車成本發生重構，純電車成本結構中三電（電控、電機、電池）占到了50%。2020年汽車功率器件市場規模約為45億美元，隨著單車功率器件價值以及電動車滲透率繼續提升，預計到2025年達到92億美元。就全球半導體市場的競爭格局來看，優勢企業主要集中于歐美日，全球前25名汽車晶片供應商裡面中資控股的企業只有安世半導體一家。汽車半導體國產替代勢在必行。安世願和國內上下游企業廣泛合作推進應用。
復旦大學特聘教授、上海碳化矽功率器件工程技術研究中心主任 張清純
復旦大學特聘教授、上海碳化矽功率器件工程技術研究中心主任張清純分享了題為《國內SiC功率器件研發及產業化進展》的報告。他介紹了國內SiC器件代工線的進展。他認為國內已經具備標準、通用、達到國際水準的SiC器件量產線。國內SiC設計和製造進展快速，器件特性達到或接近國際領先水準，SiC MOSFET量產即將到來。MOSFET工業級、車規級可靠性進一步研究驗證即將進行。需要進一步加強面向下一代SiC器件產業化技術的前瞻研究、前沿創新，以期領先國際、服務產業和滿足市場需求。
中科院電工研究所主任研究員 溫旭輝
中科院電工研究所主任研究員溫旭輝分享了題為《高密度SiC車用電機控制器關鍵技術研究》的報告。她詳細介紹了其團隊利用SiC器件的高溫、高頻特性開發出的多款高密度車用SiC電機驅動控制器。她指出，由於SiC器件快速開關特性和高頻運行使得EMI問題突出，有源與無源濾波的結合是實現高密度EMI濾波器設計的有效途徑。用大電流導通壓降作為特徵值實現SiC結溫即時監測方法對提升電驅系統可靠性具有重要意義。
中電科半導體材料有限公司首席專家 王英民
中電科半導體材料有限公司首席專家王英民分享了題為《碳化矽單晶材料研究進展》的報告。他詳細介紹了國內外碳化矽材料的研究及產業化進展，並提出以下建議: 加快技術水準以及生產管理水準的提升，突破高效生長及高成品率產業化技術，快速降低材料成本，將會強有力的推動碳化矽應用的快速發展;依託國內龍頭企業，加快建設國家化合物半導體技術創新中心，形成完善的化合物半導體產業創新體系，集聚國內優勢資源，打通制約產業發展的關鍵技術瓶頸，提升產業鏈整體技術水準。
臺灣南方科技股份有限公司董事長陳怡然帶來題為《Micro LED光學檢測現狀與未來發展》的視頻報告。他指出，Micro LED做為下世代的顯示器解決方案，在過去幾年受到產業界高度矚目。Micro LED的未來應用將不只在顯示器上，包括通訊、照明、檢測等等重要領域都會是可能的場域。從製程技術的趨勢上來看，當尺度持續的縮小，所需的相關技術就會更加的複雜，因此每一段製程良率的控制就成為控制成本的關鍵因素，而良率的控制則仰賴製程上和前端研發對產品的透徹理解，可是尺度微縮和數量級增加的本質又帶來檢測解析度和效能的巨大挑戰，因此相關的光學檢測技術成為Micro LED產業不可忽視的重要突破口。